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高電子移動度トランジスター　high electron mobility transistor（HEMT）

高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、シリコンをベースとした一般的な電界効果トランジスタ（FET）に比べて、電子の移動速度が速い化合物半導体を用いたトランジスタである。1979年に富士通研究所の三村高志によって発明され[…]

高電子移動度トランジスタを参照。