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高電子移動度トランジスター

 

よみ方

こうでんしいどうどとらんじすたー

英 語

high electron mobility transistor(HEMT)

説 明

高電子移動度トランジスタ(HEMT)は、シリコンをベースとした一般的な電界効果トランジスタ(FET)に比べて、電子の移動速度が速い化合物半導体を用いたトランジスタである。1979年に富士通研究所の三村高志によって発明された。 高速応答性にすぐれるため、低雑音の高周波増幅器に適しており、50 GHz 以下の電波観測装置の初段の低雑音増幅器やSISミクサの後段増幅器として使われている。試験的には500 GHz程度まで動作することが報告されている。半導体材料としては、ガリウム・ヒ素(GaAs)やインジウム・リン(InP)、シリコン・ゲルマニウム(SiGe)が使われている。ヘテロ接合をもつことからHFETと呼ばれることもある。

2019年12月24日更新

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