半導体光検出器の一つで、光子の入射により半導体の抵抗値が変化する現象を利用して光を検出する。半導体のバンドギャップよりもエネルギーの大きい光子が入射すると、価電子帯の電子が伝導帯に遷移することにより伝導電子（キャリア）が生成される。半導体素子の電極間にかけるバイアス電圧によって電極に到達するキャリアによる電流あるいは電荷を検出する。フォトダイオードも参照。